安森美：携手格罗方德共研下一代GaN功率器件 剑指高增长功率电子市场

功率半导体领域再迎重磅合作，安森美（onsemi）宣布与格罗方德（GlobalFoundries, 简称GF，纳斯达克代码：GFS）达成全新战略合作协议。双方将聚焦下一代氮化镓（GaN）功率器件的研发与制造，以格罗方德先进的200毫米增强型硅基氮化镓（eMode GaN-on-silicon）工艺为核心，结合安森美在硅基驱动器、控制器及强化散热封装领域的技术积淀，共同打造高性能650V GaN功率产品，进一步巩固安森美在智能电源领域的领导地位，为AI数据中心、电动汽车、可再生能源等关键领域提供更小尺寸、更高能效的系统解决方案。

此次合作以650V GaN器件为起点，精准瞄准高功率密度系统的核心需求——这类场景普遍面临功率需求攀升与物理尺寸受限的双重挑战。具体而言，合作研发的产品将广泛覆盖电源、DC-DC转换器、车载充电机、微型光伏逆变器、储能系统及电机驱动器等细分领域，深度适配AI数据中心、电动汽车、工业控制及航空航天等高增长市场的功率升级需求。

安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan强调：“此次合作实现了安森美系统级产品能力与格罗方德先进GaN工艺的优势互补，将为高增长市场打造全新650V功率器件。这些GaN产品搭配我们的硅基驱动器和控制器，将助力客户突破设计瓶颈，构建更小、更高能效的功率系统。我们计划于2026年上半年启动样品交付，并快速推进量产落地。”

格罗方德首席商务官Mike Hogan则指出：“通过整合200毫米硅基GaN平台与安森美的系统级专业积淀，双方不仅能加速高效解决方案的商业化落地，更能为关键市场构建更具韧性的供应链。以安森美为核心合作伙伴，我们将持续推动GaN半导体技术迭代，精准响应人工智能、电气化及可持续能源领域的动态需求。”

值得关注的是，此次合作进一步完善了安森美的全谱系GaN技术布局，使其产品矩阵覆盖从低压、中压、高压横向GaN到超高压垂直GaN的完整技术链条，为系统设计人员打造下一代电源架构提供了全场景支撑。相较于传统硅基器件，GaN技术具备三大核心优势：其一，更高开关频率可减少元器件数量、缩小系统尺寸并降低成本，同时提升能效与散热性能；其二，双向导通特性支持创新拓扑结构，单器件可替代四颗传统单向晶体管，简化设计并降低成本；其三，集成化能力突出，可在单个封装内整合GaN FET与驱动器、控制器等功能，缩短研发周期并降低电磁干扰，配合强化散热封装与优化栅极驱动器，保障高开关速度下的性能稳定性与可靠性。

行业分析认为，650V GaN器件是替代传统硅MOSFET的关键技术方向，此次安森美与格罗方德的合作，将加速高压GaN产品的技术成熟与市场普及，有望在2026年功率电子市场竞争中抢占先机，为全球电气化转型与能源效率提升注入核心动力。